8月6日音书，在近日的财报电话会议上【DVH-292】巨乳中出し240 8，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）清楚，大众第二台High NA （高数值孔径）EUV光刻机行将参加英特尔位于好意思国奥勒冈州的晶圆厂。
ASML此前在二季度财报会议上也暗意，该公司照旧驱动向客户出货其第二台High NA EUV光刻机，然而并未指出是哪家客户。当前来看，这家客户恰是英特尔。
贵府骄气，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的阔别率为 8nm，不错达成比现存EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，不错使芯片制造商简略简化其制造经由。而况，EXE:5000每小时可光刻进步 185 个晶圆，与已在巨额量制造中使用的 NXE 系统比拟还有所增多。ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的道路图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工场关于芯片制造商来说在经济性上至关转折。字据此前的爆料骄气，High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台。
大家皆知，英特尔与ASML市欢了数十年时刻，股东了光刻工夫从 193nm浸没式光刻工夫发展到 EUV，但出于老本商量，英特尔遴荐不在其 10nm 工艺（极度于台积电6nm）中使用该工夫。相悖，英特尔遴荐使用轮换深紫外 (DUV) 光刻机进行四重图案化，需要对单个芯片层进行四次 DUV 曝光，而不是使用 EUV 进行单次曝光。效果，英特尔在良率方面遭遇了重重困难，导致其10nm工艺推迟了五年。这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商抓续卓越。
因此，在英特尔CEO基辛格提议“IDM 2.0”计策后，英特尔便马上再行聚焦于顶端制程工艺的进步，提议的了四年五个工艺节点的蓄意，但愿在2025年凭借Intel 18A达成关于台积电2nm工艺的卓越。与此同期，英特尔还但愿通过率先接管High NA EUV光刻机来达成关于台积电等竞争敌手的抓续最初。最终在2030年前达成英特尔代工业求达成出入均衡的运谋利润率，并成为大众第二大晶圆代工场。
为此，英特尔在2023年12月已率先拿下了大众首台High NA EUV光刻机，并驱动在英特尔俄勒冈州晶圆厂装置。一套High NA EUV光刻系统的大小等同于一台双层巴士，分量更高达150吨，极度于两架空中客车A320客机，全套系统需要43 个货运集装箱内的 250个货箱来装运，装机时刻展望需要250名工程东说念主员、历时6个月本事装置完成，不仅价钱上流也极度耗时。
本年4月18日，英特尔公司精采告示在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造范围的一个转折里程碑，完成了业界首个商用High NA EUV光刻机的拼装。
字据英特尔的蓄意，High NA EUV光刻机将会起首会被用到Intel 18A的相干测试，以蕴蓄相干教养，最终会被用于Intel 14A的量产。
全色网此前的报说念骄气，ASML已取得十多台High NA EUV光刻机的订单，客户包括台积电、三星、英特尔、好意思光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出，DRAM芯片制造商，可能会在2025或2026年驱动使用High NA EUV设立。
裁剪：芯智讯-浪客剑